| 发明名称 | 具有较少等离子体损害的集成电路制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有较少等离子体损害的集成电路制作方法，包括：提供一基底；形成一结构层于基底上；及形成一光致抗蚀剂层于结构层上；对结构层进行一蚀刻工艺，其中光致抗蚀剂层具导电性，以减少蚀刻工艺中的等离子体损害。 | ||
| 申请公布号 | CN103021836A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210038985.8 | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 章正欣;陈逸男;刘献文 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郝新慧;张浴月 |
| 主权项 | 一种具有较少等离子体损害的集成电路制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；形成一结构层于该基底上；形成一导电光致抗蚀剂层于该结构层上，该导电光致抗蚀剂层于一光致抗蚀剂材料中掺杂导电高分子形成；及对该结构层进行一蚀刻工艺。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||