发明名称 制造化学机械平面化(CMP)垫中的原位凹槽的方法以及新颖的CMP垫设计
摘要 本发明提供制造CMP垫中的原位凹槽的方法。一般地说,制造原位凹槽的方法包括以下步骤:构图硅树脂衬层(206);将所述硅树脂衬层(206)设置在模具(200)中或模具(200)上;将所述CMP垫材料添加到所述硅树脂衬层(206);以及使所述CMP垫固化。还描述了包括新颖凹槽设计的CMP垫。例如,在此描述的是包括同心圆凹槽和轴向弯曲凹槽、反向对数凹槽、重叠圆凹槽、利萨如凹槽、双螺旋凹槽以及多重重叠轴向弯曲凹槽的CMP垫。所述CMP垫可以由聚氨酯制成,并且在其中制造的凹槽可由选自硅树脂加衬、激光直写、水射流切割、3-D印刷(printing)、热压成形、真空成形、微接触印刷、热压印及其混合中的方法制造。
申请公布号 CN101014446B 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN200580024127.6 申请日期 2005.07.15
申请人 尼克斯普勒公司 发明人 M·德奥普拉;H·M·瓦伊迪亚;P·K·罗伊
分类号 B24D18/00(2006.01)I;B24B37/26(2012.01)I;B24B37/04(2012.01)I;B29C33/40(2006.01)I;B29C33/56(2006.01)I;B29C41/02(2006.01)I;B29C33/42(2006.01)I 主分类号 B24D18/00(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;李峥
主权项 一种制造具有原位凹槽的CMP垫的方法,所述方法包括:将CMP垫材料添加到构图的模具,所述构图的模具包括上模具板和下模具板,其中所述构图的模具的具有与将要在所述CMP垫中形成的凹槽相对应的图形的硅树脂衬层在所述上模具板的表面处或者在所述下模具板的表面处,其中所述凹槽为在所述CMP垫的第一区域中和所述CMP垫的邻近所述第一区域的第二区域中的同心圆凹槽以及仅在所述CMP垫的所述第一区域中线性辐射且仅在所述CMP垫的所述第二区域中弯曲的辐射状凹槽,其中所述辐射状凹槽与所述同心圆凹槽相交,其中所述辐射状凹槽为轴向的且为连续的,且其中所述第一区域比所述第二区域更靠近所述CMP垫的中心轴;以及使所述CMP垫材料固化并形成所述CMP垫。
地址 美国加利福尼亚州