用于非易失性存储器的编程方法

摘要

示例性实施例关注于用于对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法、存储器设备和系统，包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：对至少两个页施加编程脉冲，对所述至少两个页施加时间延迟，以及对所述至少两个页施加检验脉冲。

主权项

一种对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法，包括：执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：对至少两个页施加编程脉冲；对所述至少两个页施加时间延迟以允许时间裕量用于电荷存储层中的电荷重新分配或重新组合；和对所述至少两个页施加检验脉冲。