发明名称 一种C/X双频段微带天线
摘要 一种C/X双频微带天线,属于天线技术领域。本发明采用双层高阻硅介质结构,两个频段共用一个矩形辐射贴片;上层高阻硅介质承载矩形贴片和X频段馈线,并且在上层高阻硅刻蚀出空气腔,以降低其复合介电常数,下层高阻硅介质承载C频段馈线。X频段采用微带共面馈电,C频段采用缝隙耦合馈电。本发明提供的C/X双频微带天线或C/X双频二元微带天线具有具有以下四个优点:1、单片双模,结构简单,设计灵活;2、多频化;3、小型化、轻型化;4、集成化。本发明可广泛应用于卫星通信、控制、制导、雷达等空中点对点的通信工具中。
申请公布号 CN101931122B 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201010264750.1 申请日期 2010.08.27
申请人 电子科技大学 发明人 刘晓明;魏景辉
分类号 H01Q1/38(2006.01)I;H01Q1/48(2006.01)I;H01Q5/01(2006.01)I;H01Q13/08(2006.01)I;H01Q21/00(2006.01)I 主分类号 H01Q1/38(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 葛启函
主权项 一种C/X双频微带天线,包括下层高阻硅介质层(4)、上层高阻硅介质层(2)、位于下层高阻硅介质层下表面的金属图形层(5)、位于下层高阻硅介质层上表面的金属图形层(3)和位于上层高阻硅介质层上表面的金属图形层(1);所述下层高阻硅介质层(4)和上层高阻硅介质层(2)粘接在一起,其中上层高阻硅介质层(2)下表面具有矩形凹槽,上下两层高阻硅介质层粘接在一起后中间形成一个空腔(6);所述位于上层高阻硅介质层上表面的金属图形层(1)包括一个矩形辐射贴片和X波段共面馈电微带线;所述位于下层高阻硅介质层上表面的金属图形层(3)为与下层高阻硅介质层上表面同尺寸的矩形金属接地板,其中正对于位于上层高阻硅介质层上表面的金属图形层(1)中矩形辐射贴片中心的地方具有一条耦合缝隙;所述位于下层高阻硅介质层下表面的金属图形层(5)为一条C波段耦合馈线;所述X波段共面馈电微带线和C波段耦合馈线的馈电结构相互垂直,且C波段耦合馈线和金属接地板中的耦合缝隙相互垂直。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
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