TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上并限定了数个像素区域的栅线和数据线，每个像素区域内形成有像素电极、控制所述像素电极充电的第一薄膜晶体管和控制所述像素电极预充电的第二薄膜晶体管。本发明通过在每个像素区域内形成控制像素电极充电和预充电的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，当一个像素行的像素电极充电时，邻近的下一个像素行的像素电极实现预充电，因此降低了该像素行上像素电极本帧电压与下一帧电压之间的差距，有效消除了极性反转方式中存在的电压落差较大的缺陷，一方面有效缩短充放电时间，另一方面有效降低驱动功耗。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：步骤11、在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、第一栅电极和第二栅电极的图形，所述第一栅电极和第二栅电极与栅线连接，分别位于栅线两侧的像素区域内；步骤12、在形成有所述栅线、所述第一栅电极和所述第二栅电极的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一有源层、第二有源层、数据线、源电极、漏电极、第一连接电极和第二连接电极的图形，其中所述第一有源层包括第一半导体层和第一掺杂半导体层，形成在所述绝缘栅层上并位于所述第一栅电极的上方，所述源电极和漏电极形成在所述第一有源层上，且所述源电极的一端位于所述第一栅电极的上方，另一端与所述数据线连接，所述漏电极的一端位于所述第一栅电极的上方，与所述源电极相对设置，所述第二有源层包括第二半导体层和第二掺杂半导体层，形成在所述栅绝缘层上并位于所述第二栅电极的上方，所述第一连接电极和第二连接电极形成在所述第二有源层上，所述第一连接电极和第二连接电极相对的一端位于所述第二栅电极上；步骤13、在形成有栅绝缘层、第一有源层、第二有源层、数据线、源电极、漏电极、第一连接电极和第二连接电极的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层第一过孔、钝化层第二过孔、钝化层第三过孔和钝化层第四过孔的图形，所述钝化层第一过孔位于漏电极所在位置，所述钝化层第二过孔位于第一连接电极或第二连接电极所在位置，所述钝化层第三过孔位于第一连接电极的端部，所述钝化层第四过孔位于第二连接电极的端部；步骤14、在形成有钝化层的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和第三连接电极的图形，所述像素电极通过钝化层第一过孔与漏电极连接，通过钝化层第二过孔与第一连接电极或第二连接电极连接，所述第三连接电极分别通过钝化层第三过孔和钝化层第四过孔使相邻两个像 素区域内的第一连接电极和第二连接电极相互连接。