| 发明名称 | 一种透明氮化铝陶瓷的超高压低温烧结制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种透明氮化铝陶瓷的超高压低温烧结制备方法，它包括以下步骤：（1）选料：选用平均粒径在40μm的AlN微米粉体为原料；（2）AlN粉体进行预处理；（3）添加烧结助剂：选用的烧结助剂为碳化钙和/或稀土氧化物，加入量为：2.0%-5.0wt%；（4）高压成型：成型压力在1Gpa；（5）高压低温烧结：高压温度为1500-1700℃，压力为4.0-5.5GPa，保温20-60min，试样自然冷却，既得透明氮化铝陶瓷。本发明制备的透明氮化铝陶瓷具有晶粒细小，形状规则，结构均匀致密，无气孔，具有高致密度，晶粒细小；该制备方法无需气氛控制；该制备工艺流程简单、操作方便、生产周期短。 | ||
| 申请公布号 | CN103011830A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210583959.3 | 申请日期 | 2012.12.31 |
| 申请人 | 河南理工大学 | 发明人 | 李小雷;王红亮;王利英;胡美华;胡强;李尚升;宿太超;曹新鑫;何小芳 |
| 分类号 | C04B35/581(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/581(2006.01)I |
| 代理机构 | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 | 代理人 | 杨妙琴 |
| 主权项 | 一种透明氮化铝陶瓷的超高压低温烧结制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：（1）选料：选用平均粒径在40μm 的AlN微米粉体为原料；（2）AlN粉体进行预处理； （3）添加烧结助剂：选用的烧结助剂为碳化钙和/或稀土氧化物，加入量为：2.0%‑5.0wt%； （4）高压成型：成型压力在1Gpa；（5）高压低温烧结：高压温度为1500‑1700℃，压力为4.0 ‑5.5GPa，保温20‑60min，试样自然冷却，既得透明氮化铝陶瓷。 | ||
| 地址 | 454000 河南省焦作市高新区世纪大道2001号 | ||