| 发明名称 | 一种Nb<sub>3</sub>Sn超导块材的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是为了克服现有Nb3Sn超导材料性能的不足，提供一种具有高性能的Nb3Sn超导块材的制备方法，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8-0.975)∶(1.8-1.95)∶(0.025-0.2)配制并混合均匀，将混合均匀的原料粉用压片机进行压片，得到含纳米Si/N/C粉的Nb3Sn超导块材；将得到的块材放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃-800℃保温1.5-3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导块材。 | ||
| 申请公布号 | CN103021563A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210500918.3 | 申请日期 | 2012.11.30 |
| 申请人 | 江苏威纳德照明科技有限公司 | 发明人 | 虞浩辉;周宇杭;吕锁方;顾忠杰 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种Nb3Sn超导块材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将Nb粉，Sn粉，纳米Si/N/C粉按照摩尔比(0.8‑0.975)：(1.8‑1.95)：(0.025‑0.2)配制并混合均匀，将混合均匀的原料粉用压片机进行压片，得到含纳米Si/N/C粉的Nb3Sn超导块材；将得到的块材放在真空炉中，抽真空后充入氩气，在500℃‑800℃保温1.5‑3小时，最终得到含有Si元素和C元素的Nb3Sn超导块材。 | ||
| 地址 | 213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 | ||