| 发明名称 | 提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，包括：浮栅层形成步骤，用于在硅片的有源区两侧形成高于有源区表面的浅沟槽隔离，并在有源区表面上依次形成栅极氧化物层和浮栅层；附加层形成步骤，用于在浮栅层表面以及浅沟槽隔离表面形成附加层；侧壁隔离物形成步骤，用于刻蚀附加层，从而在浅沟槽隔离的侧壁上形成侧壁隔离物；浮栅层刻蚀步骤，用于利用侧壁隔离物对浮栅层进行刻蚀，从而在浮栅层中形成凹槽；侧壁隔离物去除步骤，用于去除侧壁隔离物。 | ||
| 申请公布号 | CN103021957A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210576924.7 | 申请日期 | 2012.12.26 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张雄 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种提高闪存中控制栅极对浮栅耦合系数的方法，其特征在于包括：浮栅层形成步骤，用于在硅片的有源区两侧形成高于有源区表面的浅沟槽隔离，并在有源区表面上依次形成栅极氧化物层和浮栅层；附加层形成步骤，用于在浮栅层表面以及浅沟槽隔离表面形成附加层；侧壁隔离物形成步骤，用于刻蚀附加层，从而在浅沟槽隔离的侧壁上形成侧壁隔离物；浮栅层刻蚀步骤，用于利用侧壁隔离物对浮栅层进行刻蚀，从而在浮栅层中形成凹槽；侧壁隔离物去除步骤，用于去除侧壁隔离物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||