| 发明名称 | 卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4-m-n-p I其中X选自C1、Br、I；R1选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R2选自直链或支链C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R3选自支链C3-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。 | ||
| 申请公布号 | CN103012457A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210392207.9 | 申请日期 | 2012.09.27 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 萧满超;雷新建;M·L·奥内尔;韩冰;R·M·皮尔斯泰恩;H·钱德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凯-科瓦克斯 |
| 分类号 | C07F7/10(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/36(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | C07F7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 吴亦华;徐志明 |
| 主权项 | 由下式I表示的卤代有机氨基硅烷前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4‑m‑n‑p I其中X是选自Cl、Br、I的卤素；R1独立地选自直链或支链C1‑C10烷基、C2‑C12烯基、C2‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R2选自直链或支链C1‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R3选自支链C3‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且(m+n+p)的和小于4，且其中R2和R3连接以形成环。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||