| 发明名称 | 包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管。根据示例实施例，一种电极结构包括在半导体层上的石墨烯和在石墨烯上的电极金属。场效应晶体管（FET）可以包括该电极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103022106A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210344858.0 | 申请日期 | 2012.09.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 梁喜准;朴晟准;郑现钟;许镇盛 |
| 分类号 | H01L29/47(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/47(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 李昕巍 |
| 主权项 | 一种电极结构，包括：石墨烯，在半导体层上；以及电极金属，在所述石墨烯上，其中所述石墨烯接触所述半导体层和所述电极金属中的至少一个。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||