| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施方案，包括：衬底；形成于衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成于电子供给层上或者上方的栅电极、源电极和漏电极；以及形成于电子供给层和栅电极之间的p型半导体层。该p型半导体层包含与包含在电子沟道层和电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为p型杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN103022116A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210262738.6 | 申请日期 | 2012.07.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 山田敦史 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H03F3/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成于所述衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成于所述电子供给层上或者上方的栅电极、源电极和漏电极；以及形成于所述电子供给层和所述栅电极之间的p型半导体层，其中所述p型半导体层包含与包含在所述电子沟道层和所述电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为p型杂质。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||