发明名称 一种用γ-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>制备α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶体的制备方法及其设备
摘要 本发明公开了一种用γ-Al2O3制备α-Al2O3单晶体的方法及其设备,该设备包括机架,该机架上由上至下依序设有以下装置:原料输送装置,所属原料输送装置包括盛装γ-Al2O3的原料桶,以及与盛装γ-Al2O3的原料桶分别连接的氧气输送管和氢气输送管;喷嘴,所述喷嘴包括氧气喷头和套设在氧气喷头上的氢气喷头,氧气喷头的进口与γ-Al2O3的原料桶和氧气输送管连接,氢气喷头的进口与氢气输送管连接;烧结炉的炉芯;以及α-Al2O3结晶柱的升降托盘;所述喷嘴延伸入烧结炉的炉芯的空腔内,α-Al2O3结晶柱的升降托盘可升降α-Al2O3结晶柱,使α-Al2O3结晶柱进出烧结炉的炉芯的空腔,所述盛装γ-Al2O3的原料桶底部设有滤网,且该原料桶设有使滤网产生不同的振动以调节γ-Al2O3输送速度的装置。使用本发明的方法和设备制作出来的α-Al2O3单晶体成色好、晶体尺寸的大小可调节。
申请公布号 CN103014855A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201210572671.6 申请日期 2012.12.25
申请人 福建鑫磊晶体有限公司 发明人 林志高
分类号 C30B29/20(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/20(2006.01)I
代理机构 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人 曹元
主权项 一种用γ‑Al2O3制备α‑Al2O3单晶体的制备方法,其特征在于:其包括以下步骤:1)将纯度≥99.99%的γ‑Al2O3装入原料桶内;2)给与原料桶相连接的氧气输送管通入氧气,氧气将γ‑Al2O3带入烧结炉的喷嘴内,同时给烧结炉的喷嘴通入氢气;3)点燃从烧结炉的喷嘴喷出的氢气、氧气和γ‑Al2O3的混合物,使该混合物在烧结炉的炉芯内燃烧,γ‑Al2O3熔化;4)用设有α‑Al2O3晶种的结晶柱,使熔化状态的γ‑Al2O3在该结晶柱上结晶转化成α‑Al2O3,该结晶温度≤2050℃,即制得α‑Al2O3单晶体。
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