| 发明名称 | 栅极半导体器件的替换 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有第一开口和第二开口的半导体衬底。介电层形成在该衬底上。蚀刻停止层形成在第一开口中的介电层上。然后，将功函层形成在蚀刻停止层上并且将填充金属设置在该功函层上以填充第一开口。本发明还提供了一种栅极半导体器件的替换。 | ||
| 申请公布号 | CN103021949A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210133099.3 | 申请日期 | 2012.04.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李达元;许光源 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有第一开口和第二开口的半导体衬底；在所述衬底上形成介电层；在所述第一开口中的所述介电层上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上沉积功函层；以及在所述功函层上形成填充金属，其中，所述填充金属填充了所述第一开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||