发明名称 |
高压变频低电压穿越方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高压变频低电压穿越方法,包括单向导通电路和电容储能电路,所述单向导通电路由两个二极管组成,电容储能电路由三组电容器组成,直流母线上的电压通过单向导通电路给电容储能电路充电,电容储能电路给控制部分供电,单向导通电路在电网电压短时间故障,引起电压跌落时,使电容储能电路不向直流母线放电,保持控制电路部分正常工作,驱动IGBT导通,如果电流冲击过大时,控制部分调整IGBT导通的占空比,使电路恢复正常工作。本发明具有工作可靠、功耗低、成本小等优点。 |
申请公布号 |
CN103023064A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210454894.2 |
申请日期 |
2012.11.13 |
申请人 |
安徽颐和新能源科技股份有限公司 |
发明人 |
唐韦韦;杨春正;蔡珊珊;赵娟;沈庆;赵洁;栾振虎;姚俊;马志保 |
分类号 |
H02J3/38(2006.01)I;H02J9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H02J3/38(2006.01)I |
代理机构 |
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 |
代理人 |
余成俊 |
主权项 |
一种高压变频低电压穿越方法,其特征在于:包括有单向导通电路和电容储能电路,所述的单向导通电路由二极管D1和D2组成,所述的电容储能电路由电容C3、C4和C5组成,所述的二极管D1的阳极接在直流母线正极上,阴极上串联所述的电容C3、C4和C5,然后再接二极管D2的阳极,二极管D2的阴极接在直流母线的负极上,在直流母线的正、负极之间连接有由四个IGBTQ1、Q2、Q3和Q4组成的桥式电路,所述的IGBTQ1、Q2、Q3和Q4上分别并联有二极管D3、D4、D5和D6,桥式电路前端还并联有电容C和串联连接的电容C1、C2,所述的电容储能电路和桥式电路均连接控制部分,直流母线上的电压通过单向导通电路给电容储能电路充电,电容储能电路不向直流母线放电,电容储能电路给控制部分供电,在电网电压短时间故障,引起电压跌落时,使电容储能电路不向直流母线放电,保持控制部分正常工作,驱动IGBT导通;当电网恢复时,当电流冲击不大时,整个系统按照正常情况连续运行,当电流冲击过大时,控制部分调整IGBT导通的占空比,使电路恢复正常工作。 |
地址 |
247000 安徽省池州市经济开发区安徽颐和新能源科技股份有限公司 |