一种正高压电平转换电路

摘要

本发明公开了属于集成电路设计技术领域的一种正高压电平转换电路。本发明的连接关系如下：VIN输入电压连接INV1反相器和第一自举电路的公共节点，INV1反相器还与第二自举电路连接，电压转换电路分别与第一自举电路、第二自举电路和VOUT输出电压连接。本发明的有益效果为：电路结构简单、转换速度快、功耗小。两个自举电路将低压控制信号的摆幅增大一倍，增强了电压转换电路中两个高压NMOS晶体管的驱动能力，从而减小了电压转换电路在电压转换过程中下拉NMOS晶体管与上拉PMOS晶体管间严重的竞争，降低了高压转换的功耗，本发明在很低的电源电压下仍然能够正常工作。

主权项

一种正高压电平转换电路，其特征在于，它的连接关系如下：VIN输入电压连接INV1反相器（40）和第一自举电路（41）的公共节点，INV1反相器（40）还与第二自举电路（42）连接，电压转换电路（43）分别与第一自举电路（41）、第二自举电路（42）和VOUT输出电压连接；所述第一自举电路（41）的连接关系如下：VIN输入电压分别连接第一反相器（4101）的输入端、第二PMOS晶体管（4104）的栅极和第一NMOS晶体管（4105）的栅极，第一反相器（4101）与第一电容（4102）串联，N1节点分别连接第一电容（4102）、第一PMOS晶体管（4103）的漏极和第二PMOS晶体管（4104）的源极，N2节点分别连接第一PMOS晶体管（4103）的栅极、第三NMOS晶体管（4302）的栅极、第二PMOS晶体管（4104）的漏极和第一NMOS晶体管（4105）的漏极，VDD电源电压分别连接第二PMOS晶体管（4104）的衬底以及第一PMOS晶体管（4103）的源极和衬底，第一NMOS晶体管（4105）的源极和衬底均连接VSS地电位。