发明名称 一种用太赫兹波进行成像的方法和系统
摘要 本发明涉及一种用太赫兹波进行成像的方法和系统。该方法包括:与物点相互作用后的入射太赫兹波穿过双折射材料,形成寻常太赫兹波和非常太赫兹波,其中,入射太赫兹波的偏振方向与双折射材料的光轴方向成45度角;检测寻常太赫兹波的峰值电场强度和非常太赫兹波的峰值电场强度,得到二者的强度差;将强度差作为与物点对应的像点的灰度。利用本发明的技术方案所成的像能反映出物体内部各点的取向情况。
申请公布号 CN102192883B 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201110060492.X 申请日期 2011.03.14
申请人 首都师范大学 发明人 张亮亮;钟华;邓朝;张存林
分类号 G01N21/21(2006.01)I 主分类号 G01N21/21(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨;张爱莲
主权项 一种用太赫兹波进行成像的方法,其特征在于,该方法包括:与物点相互作用后的入射太赫兹波穿过双折射材料,形成寻常太赫兹波和非常太赫兹波,其中,所述入射太赫兹波的偏振方向与所述双折射材料的光轴方向成45度角;检测所述寻常太赫兹波的峰值电场强度和非常太赫兹波的峰值电场强度,得到二者的强度差;将所述强度差作为与所述物点对应的像点的灰度,其中:所述物点为物体上的物点;则与物点相互作用后的入射太赫兹波穿过双折射材料,形成寻常太赫兹波和非常太赫兹波,为:与所述物体上的每一个物点相互作用后的入射太赫兹波穿过双折射材料,形成与该物点对应的寻常太赫兹波和与该物点对应的非常太赫兹波;检测所述寻常太赫兹波的峰值电场强度和非常太赫兹波的峰值电场强度,得到二者的强度差,为:检测与每一个物点对应的寻常太赫兹波的峰值电场强度和与该物点对应的非常太赫兹波的峰值电场强度,得到与每一个物点对应的二者的强度差;将所述强度差作为与所述物点对应的像点的灰度,为:将与每一个物点对应的强度差作为与该物点对应的像点的灰度;该方法进一步包括:检测各物点在所述物体上的位置;排列像点得到像,使各像点在所述像上的位置与该像点对应的物点在所述物体上的位置具有对应关系。
地址 100048 北京市海淀区西三环北路105号
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