| 发明名称 | 薄膜晶体管、用于制造该薄膜晶体管的方法、以及显示设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供了薄膜晶体管、用于制造该薄膜晶体管的方法、以及显示设备。根据一个实施例，薄膜晶体管包括衬底、栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、第二绝缘膜、源电极、以及漏电极。栅电极设置在衬底的一部分上。第一绝缘膜覆盖栅电极。氧化物半导体膜经由第一绝缘膜设置在栅电极上。第二绝缘膜设置在氧化物半导体膜的一部分上。源电极和漏电极分别连接到未用第二绝缘膜覆盖的氧化物半导体膜的第一和第二部分。氧化物半导体膜包括氧化物半导体。第一和第二绝缘膜中的含氢浓度分别不小于5×1020原子/cm-3，并且不大于1019原子/cm-3。 | ||
| 申请公布号 | CN103022143A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210177380.7 | 申请日期 | 2012.05.31 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 中野慎太郎;上田知正;三浦健太郎;齐藤信美;坂野龙则;山口一 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 钱孟清 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置在所述衬底的一部分上的栅电极；覆盖所述栅电极的第一绝缘膜；经由所述第一绝缘膜设置在所述栅电极上的氧化物半导体膜；设置在所述氧化物半导体膜的一部分上的第二绝缘膜；以及源电极和漏电极，所述源电极连接到所述氧化物半导体膜的第一部分，所述第一部分未用所述第二绝缘膜覆盖，所述漏电极连接到所述氧化物半导体膜的第二部分，所述第二部分未用所述第二绝缘膜覆盖，所述氧化物半导体膜包括含有铟、镓和锌中的至少一种元素的氧化物半导体，以及所述第一绝缘膜中的含氢浓度不小于5×1020原子/cm‑3，而所述第二绝缘膜中的含氢浓度不大于1019原子/cm‑3。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||