具有由高k保护金属层诱导的应变沟道的半导体器件

摘要

公开了一种具有金属栅极的半导体器件。该器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括多个源极部件和漏极部件，以形成p-沟道和n-沟道。该器件还包括栅叠层，该栅叠层位于半导体衬底上方并被设置在源极部件和漏极部件之间。栅叠层包括：高k(HK)介电层，该高k(HK)介电层形成于半导体衬底的上方；拉伸应力HK保护层，该拉伸应力HK保护层形成于HK介电层的顶部上，紧邻p-沟道；压缩应力HK N-功函数(N-WF)金属层，该压缩应力HK N-功函数(N-WF)金属层形成于HK介电层的顶部上，紧邻n-沟道；以及金属栅极层堆叠件，该金属栅极层堆叠件沉积在保护层的上方。本发明提供了具有由高k保护金属层诱导的应变沟道的半导体器件。

主权项

一种具有金属栅极的半导体器件，包括：半导体衬底，包括多个源极部件和漏极部件，以形成p‑沟道和n‑沟道；以及栅叠层，位于所述半导体衬底上方并且被设置在所述源极部件和所述漏极部件之间；其中，所述栅叠层包括：高k(HK)介电层，形成在所述半导体衬底上方；拉伸应力HK保护层，形成于所述HK介电层的顶部上，紧邻所述p‑沟道；压缩应力HK N‑功函数(N‑WF)金属层，形成于所述HK介电层的顶部上，紧邻所述n‑沟道；以及金属栅极层堆叠件，被设置在所述保护层上方。