一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺

摘要

本发明涉及一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺，其步骤是：1.清洁陶瓷盘，将陶瓷盘浸泡后，用纯水冲洗其表面，收集冲洗纯水进行液体颗粒度测试，满足要求即可使用；2.将吸附垫粘贴在陶瓷盘表面；3.刷洗吸附垫表面并用纯水浸湿；4.将重掺硅晶圆片放入吸附垫的槽中，旋转挤压水分，根据挤压出的水分量确认重掺硅晶圆片被吸附垫是否有效吸附固定在槽中；5.按照设定参数进行两次粗抛光，再进行精抛光；6.采用清洗机清洗重掺硅晶圆片。采用本工艺，使重掺硅晶圆片达到表面局部平整度值＜1.5μm的水平，其背面得到较好的洁净度，对清洗设备的沾污得到有效控制，降低了清洗难度和成本，对满足大规模集成电路的要求具有重大意义和实用价值。

主权项

一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺，其特征在于，包括以下次序的工艺步骤：（一）.清洁陶瓷盘，将陶瓷盘浸泡在浓度为10%的KOH溶液中，4小时后，用纯水冲洗其表面，收集冲洗纯水进行液体颗粒度测试，满足颗粒度要求即可使用； （二）.将用于装载重掺硅晶圆片的吸附垫粘贴在清洁干燥的陶瓷盘表面，以便在抛光过程中固定重掺硅晶圆片；（三）.刷洗吸附垫表面，去除其污染物，用纯水浸湿吸附垫，使其能够将重掺硅晶圆片牢牢吸附在内； （四）.手动将重掺硅晶圆片放入吸附垫的槽中，并旋转挤压重掺硅晶圆片与槽中的水分，根据挤压出的水分量确认重掺硅晶圆片被吸附垫是否有效吸附固定在槽中；（五）.进行粗抛光，首先采用无蜡抛光粗抛系统连续进行两次粗抛光，粗抛光压力控制在2.0‑2.2bar，每次抛光时间控制在14‑16min，中心盘转数22‑27rpm，控制抛光温度在33‑36℃，粗抛光液流量为58‑62L/h，重掺硅晶圆片去除速率在0.5‑0.6μm/min；（六）.进行精抛光，使用无蜡抛光精抛系统进行精抛光，精抛压力控制在1.0‑1.5bar，抛光时间控制在10‑14min，控制抛光温度在28‑32℃，中心盘转数29‑32rpm，精抛光液流量为57‑64L/h，重掺硅晶圆片去除速率在0.2‑0.4μm/min；（七）.采用兆声清洗机用去离子水清洗重掺硅晶圆片，使重掺硅晶圆片的清洁度达到：＞0.2μm，颗粒数≤20个。