发明名称 电阻式存储器
摘要 本发明公开了一种电阻式存储器,包括:一第一电极;一第二电极;以及一电阻转态层夹于此第一电极及此第二电极之间,其中此电阻转态层包含一电阻层及一纳米颗粒聚集体于此电阻层中,其中此纳米颗粒聚集体包含钴、氮化钛、钛、钒、钼、铬、铂、铝、镍、铜或前述的组合。本发明实施例的电阻式存储器,其电阻状态不会因电压消失而改变,因而可作为非挥发性存储器。同时,此电阻式存储器具有元件结构简单、操作电压小、转态的限定电流稳定、且耐用性佳的优点,相较于传统的单边操作的电阻式存储器更可适用于作为先进技术所需的电阻式存储器元件。
申请公布号 CN103022346A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201110294140.0 申请日期 2011.09.27
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 曾俊元;吴明锜;吴宗翰
分类号 H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I 主分类号 H01L45/00(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 任默闻
主权项 一种电阻式存储器,其特征在于,包括:一第一电极;一第二电极;以及一电阻转态层夹于所述第一电极及所述第二电极之间,其中所述电阻转态层包含一电阻层及一纳米颗粒聚集体于所述电阻层中,其中所述纳米颗粒聚集体包含钴、氮化钛、钛、钒、钼、铬、铂、铝、镍、铜或前述的组合。
地址 中国台湾台中市
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