一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法

摘要

本发明属于半导体发光器件技术领域，具体涉及一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法。其芯片由硅衬底、近本征的ZnO发光层、n型的MgZnO电流注入层和半透明的电极层构成；硅衬底背面沉积有欧姆接触电极层。MgZnO薄膜既作为电子注入层，又作为发射光的透明窗口层。其特征在于，在硅衬底和近本征的ZnO发光层之间引入图形化的SiO2电流限制层，该电流限制层可以大大降低激光器的阈值电流，提高器件的光电转换效率。本发明方法可以制备低阈值的电泵浦激光器件，并且可与成熟的硅器件工艺兼容，成本较低，进一步拓展了器件的应用范围。

主权项

一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件，其芯片依次由硅衬底背面沉积的欧姆接触电极层（6）、硅衬底（1）、近本征的ZnO发光层（3）、n型的MgZnO电子注入层（4）和半透明的Au电极构成；其特征在于，在硅衬底（1）和近本征的ZnO发光层（3）之间引入具有圆形窗口阵列（7）的SiO2电流限制层（2）；半透明的Au电极为正方形电极阵列（5），每个正方形电极的中心与SiO2电流限制层（2）上圆形窗口的中心相对应。