| 发明名称 | 相变存储器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变存储器及其形成方法，本发明所提供的相变存储器的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隔离介质层，以及贯穿所述隔离介质层的导电插塞；形成与所述导电插塞电连接的底部电极；在所述底部电极的表面形成与所述底部电极交叉的相变层。通过本发明所提供的相变存储器形成方法，可以减小相变存储器的底部电极和相变层的接触面积，从而提高驱动电流。 | ||
| 申请公布号 | CN103022348A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201110297157.1 | 申请日期 | 2011.09.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 朱南飞;吴关平;任佳栋 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种相变存储器形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隔离介质层，以及贯穿所述隔离介质层的导电插塞；形成与所述导电插塞电连接的底部电极；在所述底部电极的表面形成与所述底部电极交叉的相变层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||