半导体装置

摘要

本发明的一个方式的目的是提供一种具有新颖结构的半导体装置，该半导体装置能够即使在没有提供电力时保持已存储数据，并且具有无限数量的写入周期。使用包含宽能隙半导体如氧化物半导体的存储单元形成该半导体装置。该半导体装置包括具有为了从存储单元读取信息而输出比基准电位低的电位的功能的电位转换电路。当使用充分降低包括在存储单元中的晶体管的断态电流的宽能隙半导体时，能够提供能够将数据保持较长期间的半导体装置。

主权项

一种半导体装置，包括：包括m×n个存储单元的存储单元阵列；驱动电路；以及电位产生电路，其中，所述存储单元之一包括：包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及第一沟道形成区的第一晶体管；以及包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极以及第二沟道形成区的第二晶体管，所述第一沟道形成区包含与所述第二沟道形成区的材料不同的半导体材料，所述驱动电路在所述存储单元的每个列中包括K位的锁存器部及具有K位的多路复用器的写入电路，并且，所述写入电路连接到所述电位产生电路及所述K位的锁存器部。