发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体器件。在衬底(10)上形成多层布线层(400)、第一电感器(310)和第二电感器(320)。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层,其中t≥3。将第一电感器(310)设置在多层布线层(400)中的第n布线层中。第二电感器(320)被设置在多层布线层(400)中的第m布线层中并位于第一电感器(310)上方,其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器(310)上方的任何电感器。第一电感器(310)和第二电感器(320)组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件(300)。 | ||
申请公布号 | CN103022002A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
申请号 | CN201210382395.7 | 申请日期 | 2009.06.05 |
申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 中柴康隆 |
分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
主权项 | 一种半导体器件,包括:SOI衬底,其具有第一区域和第二区域;形成在所述SOI衬底上的多层布线层,该多层布线层具有依次交替地堆叠的绝缘层和布线层;形成在所述SOI衬底的上方的第一电感器;以及形成在所述SOI衬底的上方的并且位于所述第一电感器之上的第二电感器,其中,在所述第一电感器和所述第二电感器之间未形成有电感器。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |