发明名称 |
聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料及其制备方法,属于复合材料技术领域。本发明以乙醇为介质,以聚乙二醇-400为分散剂,以对甲苯磺酸为掺杂剂,FeCl3为引发剂,将石墨烯薄片、纳米氧化镍、吡咯单体在超声条件下聚合,使聚吡咯和氧化镍纳米粒子均匀分布在GNS的表面,并且将GNS完全包覆在内,不但解决了吡咯聚合时的团聚问题,还有效地提高了聚吡咯的导电性能。 |
申请公布号 |
CN103012791A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210577647.1 |
申请日期 |
2012.12.27 |
申请人 |
西北民族大学 |
发明人 |
孙万虹;孟淑娟;臧荣鑫;李海玲;林华典 |
分类号 |
C08G73/06(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I;C08L79/04(2006.01)I |
主分类号 |
C08G73/06(2006.01)I |
代理机构 |
甘肃省知识产权事务中心 62100 |
代理人 |
张英荷 |
主权项 |
一种聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米复合导电材料的制备方法,是以乙醇为介质,以聚乙二醇‑400为分散剂,以对甲苯磺酸为掺杂剂,三氯化铁为引发剂,将石墨烯薄片、纳米氧化镍、吡咯单体在0~5℃下超声聚合,得到聚吡咯/石墨烯薄片/氧化镍纳米导电复合材料。 |
地址 |
730030 甘肃省兰州市城关区西北新村1号 |