| 发明名称 | 非易失高抗单粒子的配置存储器单元 | ||
| 摘要 | 非易失高抗单粒子的配置存储器单元，涉及集成电路技术。本发明包括组成4级DICE结构的8个MOS管、选通MOS管和PL板线，其特征在于，在DICE结构的4个节点中，至少有两个节点作为铁电连接节点，所述铁电连接节点是指通过铁电电容连接到PL板线的节点。本发明采用DICE结构加上铁电电容能够构成非易失的FPGA，从而相比SRAM型FPGA，省去了外部配置存储器，简化了系统，大幅增加非易失FPGA的抗单粒子能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103021456A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210554804.7 | 申请日期 | 2012.12.19 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 胡滨;李威;李平;翟亚红;刘俊杰;刘洋;辜科 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人 | 刘勋 |
| 主权项 | 非易失高抗单粒子的配置存储器单元，包括组成4级DICE结构的8个MOS管、选通MOS管和PL板线，其特征在于，在DICE结构的4个节点中，至少有两个节点作为铁电连接节点，所述铁电连接节点是指通过铁电电容连接到PL板线的节点。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||