| 发明名称 | SRAM单元及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种SRAM单元及其制作方法。该SRAM单元包括：半导体层；以及在半导体层上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中所述第一FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，所述第一鳍片具有第一顶面和第一底面，所述第二FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第二鳍片，所述第二鳍片具有第二顶面和第二底面，其中，所述第一顶面与所述第二顶面持平，所述第一底面和第二底面接于所述半导体层，且所述第二鳍片的高度高于所述第一鳍片的高度。 | ||
| 申请公布号 | CN103022039A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201110282569.8 | 申请日期 | 2011.09.21 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：半导体层；以及在半导体层上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中所述第一FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，所述第一鳍片具有第一顶面和第一底面，所述第二FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第二鳍片，所述第二鳍片具有第二顶面和第二底面，其中，所述第一顶面与所述第二顶面持平，所述第一底面和第二底面接于所述半导体层，且所述第二鳍片的高度高于所述第一鳍片的高度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||