具有光抽取微结构的大功率GaN基垂直结构LED及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有光抽取微结构的大功率GaN基垂直结构LED及其制备方法，经由本发明的制备方法制得的LED，具有通过激光剥离蓝宝石图形衬底所转移的与蓝宝石图形衬底表面图形互补的出光表面微结构，由于蓝宝石图形衬底表面微结构形貌可通过工艺手段控制，因此提供了一种重复性极高的控制出光表面微结构的手段，此外对出光表面辅以局部区域的纳米级的粗化，进一步优化了出光表面的形貌；同时，将传统工艺制备LED中的镜面金属反射层变为纳米级粗糙纹理的金属漫反射层，增强了其漫反射和散射效果，使反射层与出光表面微结构搭配最优化，最大限度地增大所述LED内部光的抽取效率。本发明的制备方法工艺简单，可重复性高，可用于大规模的工业生产。

主权项

一种具有光抽取微结构的大功率GaN基垂直结构LED，其特征在于，所述LED至少包括：底部结构层，包括一导电支撑衬底，键合于所述导电支撑衬底上表面的金属键合电极层，结合于所述金属键合电极层上表面的金属反射电极层，以及具有一上表面及一具有纳米级粗糙纹理的下表面的ITO层，且所述ITO层的下表面结合于所述金属反射电极层的上表面以形成一光学漫反射层；外延结构层，结合于所述ITO层的上表面，包括P型GaN层，结合于所述P型GaN层上的有源区层，以及结合于所述有源区层上的N型GaN层，且所述N型GaN层的上表面具有出光微结构及N电极；以及SiO2钝化层，形成于所述外延结构层的四周侧面。