叠栅式快闪存储器的制作方法

摘要

一种叠栅式快闪存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的膜层，所述开口定义叠栅结构的空间；在所述开口中形成隧穿介质层、位于所述隧穿介质层上的浮栅、位于所述浮栅上的栅间介质层、位于所述栅间介质层上的控制栅；去除所述膜层，在所述隧穿介质层、浮栅、栅间介质层和控制栅周围形成第一侧墙；形成第一侧墙后，在所述隧穿介质层、浮栅、栅间介质层和控制栅两侧的衬底中形成源极、漏极。采用本发明的制作方法可提高工艺稳定性和器件性能，并具有更好的可微缩性。

主权项

一种叠栅式快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的膜层，所述开口定义叠栅结构的空间；在所述开口中形成隧穿介质层、位于所述隧穿介质层上的浮栅、位于所述浮栅上的栅间介质层、位于所述栅间介质层上的控制栅；去除所述膜层，在所述隧穿介质层、浮栅、栅间介质层和控制栅周围形成第一侧墙；形成第一侧墙后，在所述隧穿介质层、浮栅、栅间介质层和控制栅两侧的衬底中形成源极、漏极。