发明名称 |
硅基液晶微显示像素单元版图结构 |
摘要 |
本发明公开了硅基液晶微显示像素单元版图结构,所述像素单元包括像素电容、存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管,其特征在于,第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管位于像素单元的上部,像素电容和存储电容位于像素单元的下部。本发明提供的硅基液晶微显示像素单元版图合理地布置像素单元内部电路各个晶体管的位置,并利用像素电路中晶体管的连接关系和电容的连接关系,重复利用部分版图,从而减小了版图面积。 |
申请公布号 |
CN102314035B |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201110266747.8 |
申请日期 |
2011.09.09 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
赵博华;黄苒;杜寰;罗家俊;林斌 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘丽君 |
主权项 |
硅基液晶微显示像素单元版图结构,所述像素单元包括像素电容、存储电容、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管位于像素单元的上部,像素电容和存储电容位于像素单元的下部;其中,像素单元具有写控制信号布线、预充电压控制信号布线、上拉控制信号布线以及读控制信号布线、电源信号布线、数据输入信号布线、地信号布线、第一层金属线、第二层金属线和第三层金属线;写控制信号布线、预充电压控制信号布线、上拉控制信号布线以及读控制信号布线由上至下依次横向布置,写控制信号布线、预充电压控制信号布线、上拉控制信号布线以及读控制信号布线由第二层金属线形成;数据输入信号布线、地信号布线和电源信号布线由左至右依次纵向布置,数据输入信号布线、地信号布线和电源信号布线由第三层金属线形成;其中,像素电容和存储电容横向布置,像素电容和存储电容具有公用端;其中,像素单元具有衬底和N阱;所述第一晶体管和所述第二晶体管横向布置,所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极共用;所述第一晶体管位于像素单元的最左方并且处于存储电容的上方;所述第二晶体管位于所述第一晶体管的右方且处于存储电容的上方;衬底位于所述第二晶体管的右方且处于存储电容的上方;所述第三晶体管横向布置,所述第三晶体管位于所述第二晶体管的右上方;所述第四晶体管横向布置,所述第四晶体管位于衬底的右方且处于像素电容的上方;N阱位于所述第三晶体管的右方并且处于所述第四晶体管的上方;所述第五晶体管竖向布置,所述第五晶体管位于所述第四晶体管的上方和N阱的右方;其中,写控制信号布线通过第一通孔、第一层金属线和接触孔与所述第一晶体管的栅极相连接;预充电压控制信号布线通过第一通孔、第一层金属线和接触孔与所述第三晶体管的栅极相连接;读控制信号布线通过第一通孔连接到第一层金属线,第一层金属线通过接触孔与所述第五晶体管的栅极相连接;上拉控制信号布线通过第一通孔连接到第一层金属线,第一层金属线与所述第四晶体管的漏极相连接;数据输入信号布线通过第二通孔、第二层金属线和第一通孔与所述第一晶体管的源极相连接;地信号布线通过通孔第二通孔、第二层金属线和第一通孔 与存储电容和像素电容的公共端相连接;电源信号布线通过第二通孔、第二层金属线和第一通孔与N阱相连接。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |