发明名称 |
利用光刻胶制备石墨烯/石墨图案的方法 |
摘要 |
一种利用光刻胶制备石墨烯/石墨图案的方法,采用热处理和微加工技术,主要步骤:(1)利用标准的光刻技术在基底上形成所需要的图案;(2)在无氧环境下在不低于750摄氏度下进行热处理,形成石墨烯/石墨结构;(3)再利用标准的光刻套刻技术进行后续处理,把基底上多余的石墨烯去除。最后形成所需要的石墨烯/石墨图案。本发明不需要催化剂,可以在所需要的基底上直接形成石墨烯/石墨图案。依赖石墨烯以及石墨的不同性能,这些图案可以行使多种功能,比如在作为场效应晶体管时,石墨烯可以作为沟道,石墨作为电极使用。本发明依托于现有的商业化的光刻方法制备石墨烯/石墨图案,方法简便,成本低廉、易于集成,且对基底的依赖性不高,可以大规模制备。 |
申请公布号 |
CN103011140A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210519884.2 |
申请日期 |
2012.12.07 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
郭赟娴;王晓娟;张增星 |
分类号 |
C01B31/04(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 |
代理人 |
叶凤 |
主权项 |
一种利用光刻胶制备石墨烯/石墨图案的方法,其特征在于,具体包括以下步骤:1)把光刻胶旋涂到所需要的基底支撑物上,采用成熟的光刻工艺制备所需要的光刻胶图案层;2)在无氧环境下对上述所处理好的带有光刻胶图案的基底支撑物在不低于750摄氏度的温度下进行热处理,热处理后,上述所形成的光刻胶图案层原位转变为石墨图案层,同时在整个基底其它处气相沉积形成一层石墨烯层;3)利用成熟的光刻套刻技术在上述样品上形成保护图案的光刻胶抗蚀层用来屏蔽设定的目的区域;4)刻蚀掉目的区域以外的裸露的石墨烯层;5)去除掉所述光刻胶抗蚀层,形成了石墨烯/石墨图案。 |
地址 |
200092 上海市杨浦区四平路1239号 |