| 发明名称 | 一种高压半导体器件的终端结构及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高压半导体器件的终端结构及制备方法，包括：第一导电类型的半导体衬底，位于半导体衬底内的第二导电类型的掺杂区，位于半导体衬底表面部分区域上的隔离介质层，以及位于掺杂区表面的引出电极和隔离介质层表面部分区域上的场板，所述电极与所述场板相连，其特征在于，所述场板下方的隔离介质层包含凹槽结构；本发明还提供一种高压半导体器件的终端结构的制备方法。本发明通过在场板下方的介质层上设置凹槽结构，拉近了场板与半导体衬底的距离，增强了场板与衬底之间的耦合作用，更有效的提高场板吸收电力线的能力，整体提升了原有的衬底与场板外边界下方的两个峰值电场之间的区域范围内的电场强度，从而提高了击穿电压，并且制备工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN103022096A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210580115.3 | 申请日期 | 2012.12.27 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 范春晖;周伟 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种高压半导体器件的终端结构，包括：第一导电类型的半导体衬底，位于所述半导体衬底内的第二导电类型的掺杂区，位于所述半导体衬底表面部分区域上的隔离介质层，以及位于所述掺杂区表面的引出电极和所述隔离介质层表面部分区域上的场板，所述电极与所述场板相连，其特征在于，所述场板下方的隔离介质层包含凹槽结构。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||