无定形碳处理方法及采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法

摘要

一种作为硬掩膜的无定形碳的处理方法，包括：提供硬掩膜层，材质为无定形碳；图案化硬掩膜层；对图案化硬掩膜层进行硼离子注入。本发明还一种采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，其上形成有对准标记及衬底图案，且最上层为待刻蚀层；在待刻蚀层上淀积硬掩膜层，硬掩膜层材质为无定形碳；通过无定形碳探测对准标记，使得掩膜版上的图案和衬底图案对准；图案化硬掩膜层；对图案化硬掩膜层进行硼离子注入，形成新的图案化硬掩膜层；以新的图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀层。采用本发明的技术方案，可以克服现有的采用无定形碳作为硬掩膜进行刻蚀时，掺硼剂量范围有限及去除该硬掩膜层时工艺要求较高的问题。

主权项

一种作为硬掩膜的无定形碳的处理方法，其特征在于，包括：提供硬掩膜层，所述硬掩膜层的材质为无定形碳；图案化所述硬掩膜层；对所述图案化硬掩膜层进行硼离子注入。