发明名称 半导体装置的制造方法
摘要 本发明提供半导体装置的制造方法。在一个实施方式中,在支持基板上依次形成剥离层和布线层。在布线层上安装多个半导体芯片。多个半导体芯片由封装树脂层一并封装。由保持体平坦地保持树脂封装体整体,对剥离层进行加热且剪切而从支持基板分离树脂封装体。在对分离后的树脂封装体维持由保持体平坦地保持的状态且冷却之后,解除由保持体实现的树脂封装体的保持状态。切断树脂封装体(11)而将电路结构体单片化。
申请公布号 CN103021880A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201110348251.5 申请日期 2011.09.22
申请人 株式会社东芝 发明人 佐藤隆夫;三浦正幸;加本拓
分类号 H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 周春燕;陈海红
主权项 一种半导体装置的制造方法,包括:在支持基板上形成剥离层的工序;在前述剥离层上形成具有多个装置形成区域和切割区域的布线层的工序;以在前述多个装置形成区域分别配置半导体芯片的方式,在前述布线层上安装多个半导体芯片的工序;在前述布线层上形成覆盖前述多个半导体芯片的封装树脂层,获得具有前述布线层和前述多个半导体芯片的树脂封装体的工序;将前述树脂封装体从前述支持基板分离的工序;以及基于前述切割区域切断前述树脂封装体,将具备前述布线层、前述半导体芯片和前述封装树脂层的电路结构体单片化的工序;其中,在将前述树脂封装体从前述支持基板分离时,或者在将前述树脂封装体从前述支持基板分离之后,由保持体平坦地保持前述树脂封装体整体并进行加热;在对前述树脂封装体维持由前述保持体平坦地保持的状态并进行冷却之后,解除由前述保持体实现的前述树脂封装体的保持状态。
地址 日本东京都