| 发明名称 | 制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构。提供一种制作FinFET的方法，包括：提供Si半导体衬底，在所述Si半导体衬底上的SiGe层以及在所述SiGe层上的Si层，其中所述SiGe层与所述衬底晶格匹配；图案化所述Si层和SiGe层，以形成Fin结构；在所述Fin结构的顶部和两侧形成栅堆叠以及围绕栅堆叠的间隔侧墙；以间隔侧墙为掩膜，去除Si层的、在所述间隔侧墙外侧的部分，从而留下Si层的、在所述间隔侧墙内侧的部分；去除SiGe层的、图案化后剩余的部分，以形成空隙；在所述空隙中形成绝缘基体；以及外延应力源漏区，其位于Fin结构和绝缘基体的两侧。本发明的FinFET具有与使用SOI制作的FinFET一样良好的对器件宽度和阈值以下泄漏的控制的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103021854A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201110295189.8 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;蒋骏 |
| 主权项 | 一种制作鳍式（Fin）场效应晶体管的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上的SiGe层以及在所述SiGe层上的Si层，其中所述SiGe层与所述衬底晶格匹配；图案化所述Si层和SiGe层，以形成Fin结构；在所述Fin结构的顶部和两侧形成栅堆叠以及围绕栅堆叠的间隔侧墙；以间隔侧墙为掩膜，去除Si层的、在所述间隔侧墙外侧的部分，从而留下Si层的、在所述间隔侧墙内侧的部分；去除SiGe层的、图案化后剩余的部分，以形成空隙；在所述空隙中形成绝缘基体；以及外延应力源漏区，其位于Fin结构和绝缘基体的两侧。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||