半导体装置

摘要

提供一种半导体装置，能提高耐压并降低导通电阻。一个实施方式的半导体装置具备第1区域和第2区域。第1区域具备：MOSFET的漏电极；半导体基板，具有第1杂质浓度；第1半导体层，具有比第1杂质浓度小的第2杂质浓度；第2半导体层，形成于第1半导体层的表面，具有比第1杂质浓度小且比第2杂质浓度大的第3杂质浓度；多个第1沟槽；第3半导体层，与第1沟槽邻接；第4半导体层，与第1沟槽邻接；栅电极层，作为MOSFET的栅电极发挥功能；和MOSFET的源电极，与第4半导体层相接。第2区域具备：半导体基板；第1半导体层，具有第2杂质浓度；第1绝缘层，形成于第1半导体层的上表面；和源电极，形成于第1绝缘层的上表面。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备作为MOSFET而发挥功能的第1区域、和与所述第1区域邻接的第2区域，所述第1区域具备：所述MOSFET的漏电极；第1导电类型的半导体基板，与所述漏电极电连接并且具有第1杂质浓度；第1导电类型的第1半导体层，形成在所述半导体基板上，具有比所述第1杂质浓度小的第2杂质浓度；第1导电类型的第2半导体层，形成于所述第1半导体层的表面，具有比所述第1杂质浓度小并且比所述第2杂质浓度大的第3杂质浓度；从所述第2半导体层的上表面侧形成的多个第1沟槽；第2导电类型的第3半导体层，形成于所述第2半导体层的表面，并与所述第1沟槽邻接；第1导电类型的第4半导体层，形成于所述第3半导体层的表面，并与所述第1沟槽邻接；第1绝缘层，沿着所述第1沟槽的内壁而形成；栅电极层，设置在所述第1绝缘层中，隔着所述第1绝缘层而与所述第3半导体层相对，作为所述MOSFET的栅电极而发挥功能；沟槽源电极层，形成为隔着所述第1绝缘层而填埋所述第1沟槽；以及所述MOSFET的源电极，与所述第4半导体层相接，并且与所述沟槽源电极层电连接，所述第2区域具有：所述半导体基板；所述第1半导体层；以在所述第1半导体层的上表面延长的方式形成的所述第1绝缘层；以及以在所述第1绝缘层的上表面延长的方式形成的所述源电极，所述第2区域的所述第1半导体层具有所述第2杂质浓度。