AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法

摘要

本发明公开一种基于AlGaN材料的紫外光电探测器结构及其制作方法，主要解决现有技术对P型掺杂材料的依赖，该探测器自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN缓冲层(3)、铝组分渐变AlGaN层(4)和有源区(5)，铝组分渐变AlGaN层(4)分为上、下两层，下层厚度为20～30nm，铝组分从0％增加到80％～100％，上层厚度为10～20nm，铝组分为0％～80％；铝组分渐变AlGaN层(4)左上方被有源区(5)覆盖，右上方淀积有底部欧姆接触(7)，该欧姆接触与有源区之间设有间隙(8)；有源区(5)由铝组分为0％～80％的AlGaN材料构成，厚度为50～100nm，有源区表面淀积有表面欧姆接触电极(6)。本发明自动工作在光伏模式，高频特性好，暗电流小，可用于226～363nm紫外波段的光信号探测。

主权项

一种AlGaN极化紫外光电探测器，自下而上包括：衬底（1），过渡层（2）和GaN缓冲层（3），GaN缓冲层（3）的上面外延有铝组分渐变AlGaN层（4），铝组分渐变AlGaN层（4）的左上方被有源区（5）所覆盖，未覆盖部分淀积有底部欧姆接触（7），该欧姆接触（7）与有源区（5）之间设有间隙（8），有源区（5）之上淀积有表面欧姆接触电极（6），其特征在于：铝组分渐变AlGaN层（4）分为上、下两层，下层厚度为20~30nm，铝组分从0%增加到80%~100%；上层厚度为10~20nm，铝组分恒定，底部欧姆接触电极（7）制作在这一层上。