一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件

摘要

本发明公开一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层；所述N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区位于所述第二N型轻掺杂区上方；所述P型轻掺杂区在水平方向上位于所述第一N型轻掺杂区的区域且此P型轻掺杂区在垂直方向上位于所述第一N型轻掺杂区区域的中下部并与所述第二N型轻掺杂区表面接触。本发明功率MOS器件提高了击穿电压并降低了器件比导通电阻，同时大大改善了器件的响应时间和频率特性。

主权项

一种横向扩散金属氧化物功率MOS器件，包括：位于P型的衬底层(1)内的P型阱层(2)和N型轻掺杂层(3)，所述P型阱层(2)与N型轻掺杂层(3)在水平方向相邻从而构成一PN结，一源极区(4)位于所述P型阱层(2)，一漏极区(5)位于所述衬底层(1)内，位于所述源极区(4)和N型轻掺杂层(3)之间区域的P型阱层(2)上方设有栅氧层(7)，此栅氧层(7)上方设有一栅极区(8)；其特征在于：所述N型轻掺杂层(3)由第一N型轻掺杂区(9)、第二N型轻掺杂区(10)和P型轻掺杂区(6)组成；所述第一N型轻掺杂区(9)的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区(6)的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区(6)的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区(10)的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区(9)与第二N型轻掺杂区(10)的掺杂浓度比例范围为：1.2∶1～1.3∶1；所述第一N型轻掺杂区(9)位于所述第二N型轻掺杂区(10)上方；所述P型轻掺杂区(6)在水平方向上位于所述第一N型轻掺杂区(9)的中央区域且此P型轻掺杂区(6)在垂直方向上位于所述第一N型轻掺杂区(9)中央区域的中下部并与所述第二N型轻掺杂区(10)表面接触。