发明名称 |
鳍式双极结型晶体管及制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种鳍式双极结型晶体管及制造方法。根据一示例性实施方式,鳍式双极结型晶体管(BJT)包括宽集电极,其位于半导体衬底中。鳍式基极被置于宽集电极上方。此外,鳍式发射极和外延发射极被置于鳍式基极上方。鳍式BJT的窄基极-发射极结通过鳍式基极和鳍式发射极形成,以及外延发射极为鳍式BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在鳍式发射极上,且可包括多晶硅。此外,鳍式基极和鳍式发射极各自可包括单晶硅。 |
申请公布号 |
CN103022107A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
申请号 |
CN201210366278.1 |
申请日期 |
2012.09.27 |
申请人 |
美国博通公司 |
发明人 |
夏维;陈向东 |
分类号 |
H01L29/73(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/73(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
田喜庆 |
主权项 |
一种鳍式双极结型晶体管,包括:宽集电极,其位于半导体衬底中;鳍式基极,其被置于所述宽集电极上方;鳍式发射极和外延发射极,其被置于所述鳍式基极上方;其中,所述鳍式双极结型晶体管的窄基极‑发射极结通过所述鳍式基极和所述鳍式发射极形成,且其中,所述外延发射极为所述鳍式双极结型晶体管提供增强的电流传导性。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |