发明名称 一种半导体用石英的表面处理方法
摘要 本发明公开了一种半导体用石英的表面处理方法,经喷砂处理、酸刻蚀、有机溶液浸泡、酸溶液浸泡后进行超声处理。本发明的方法,采用物理、化学相结合的方法,对石英特别是特定的应用于半导体制程的石英零件进行表面处理,使石英在获得平均粗糙度Ra的基础上,再对表面进行微粗化处理,解决了现有加工技术存在的表面粗糙度不均、微裂缝、微颗粒嵌附等问题。该方法流程简单,其涉及的物理装置操作简易,化学药剂廉价易得。使用此方法得到石英零件表面粗糙度均匀,失效点少,可以明显的降低石英表面沉积膜脱落的几率,从而降低反应腔体微颗粒水平,提高了产品良率。
申请公布号 CN103011611A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201210564479.2 申请日期 2012.12.24
申请人 上海申和热磁电子有限公司 发明人 何桥;贺贤汉;陈煜;廖宗杰;尚玉帝
分类号 C03C15/00(2006.01)I;B24C1/06(2006.01)I 主分类号 C03C15/00(2006.01)I
代理机构 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 代理人 赵青
主权项 一种石英表面处理方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:a)将石英进行喷砂处理,获得表面平均粗糙度Ra为2~10μm的石英;b)将步骤a)获得的石英进行酸蚀刻,获得表面无尖峰且蚀刻凹槽深宽度均一的石英;c)采用水对步骤b)获得的石英进行冲淋后采用有机溶剂浸泡;d)采用酸溶液对步骤c)获得的石英进行浸泡;e)采用水对步骤c)获得的石英进行冲淋后进行超声处理。
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