| 发明名称 | 沟渠晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及沟渠晶体管。本发明还揭露一种形成装置的方法。提供一种定义有装置区的衬底，于该衬底的该装置区内形成埋入式掺杂区，于该衬底的该装置区的沟渠内形成栅极，于该沟渠的侧壁上配置该装置的沟道，于该栅极下方配置该埋入式掺杂区，该埋入式掺杂区至该沟道的距离为该装置的漂移长度LD，形成相邻该栅极的表面掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN103021860A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201110417395.1 | 申请日期 | 2011.12.14 |
| 申请人 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | 发明人 | S·马修;P·R·维尔马 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种形成装置的方法，包括：提供定义有装置区的衬底；于该衬底的该装置区内形成埋入式掺杂区；于该衬底的该装置区的沟渠内形成栅极，其中，于该沟渠的侧壁上配置该装置的沟道，于该栅极下方配置该埋入式掺杂区，其中，该埋入式掺杂区至该沟道的距离为该装置的漂移长度LD；以及形成相邻该栅极的表面掺杂区。 | ||
| 地址 | 新加坡城 | ||