| 发明名称 | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属氮化物阻挡层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向金属层中注入氮离子。本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构，非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103021931A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201110285513.8 | 申请日期 | 2011.09.23 |
| 申请人 | 北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘训春 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种金属氮化物阻挡层的制备方法，所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，其特征在于，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向所述金属层中注入氮离子。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||