基于闪存-SRAM流水线的存储电路系统

摘要

本发明公开了一种由闪存-SRAM流水线组成的存储电路系统。该系统以流水线工作方式，先向闪存写入数据，待其进入编程状态后，再往SRAM内写入数据，直至闪存编程结束。不断重复此过程，直到SRAM内存满数据。最后将SRAM中的数据转移至闪存中。借助于SRAM的持续性高速数据吞吐能力，该系统避开了闪存的编程等待过程，既实现了持续性数据缓存，又使得实际缓存容量能达到数倍于系统所采用的SRAM缓存容量。在减小布线密度的同时又降低了成本，也保持了对数据速率的自适应性。它主要应用于平流层飞艇等低速无人监测平台，对这些平台所产生的高峰值速率、间歇性的数据流有着良好的掉电不丢失存储能力。

主权项

一种基于闪存与SRAM流水线结构的存储电路系统，包括相机模块、FPGA主控模块、SRAM缓存模块和闪存存储模块，其特征在于：所述的SRAM缓存模块与闪存存储模块的工作时钟之比是1:2；所述的SRAM缓存模块选取16比特数据位宽，写周期小于100ns；所述的闪存存储模块的编程时间是200μs，闪存容量大于1GB；系统工作时，相机模块产生的数据流经由FPGA主控模块调度，以流水线的方式依次写入闪存存储模块以及SRAM缓存模块中，并不断重复此过程，并不一次性写入SRAM缓存模块内；在相机模块不产生数据流的间歇期内，FPGA主控模块通过时序调度将SRAM缓存模块内的数据转移至闪存存储模块中。