一种高压倒装LED芯片及其制造方法

摘要

本发明揭露了一种高压倒装LED芯片及其制造方法，所述LED芯片的制造方法在刻蚀外延层，形成电极孔洞阵列之后；利用激光切割外工艺切割外延层至衬底，形成隔离槽，隔离出发光单元；然后在P型氮化镓层上形成金属反射镜层；在金属反射镜层和电极孔洞阵列内形成绝缘层，在所述绝缘层中形成开口，露出电极孔洞阵列内的N型氮化镓和部分金属反射镜层；在开口中形成接触电极；将衬底通过接触电极与形成有电路的基板倒装焊接，形成倒装器件；切割所述倒装器件，形成由多个发光单元组成的高压倒装LED芯片。有着工艺简单，器件可靠性高的优点。

主权项

一种高压倒装LED芯片的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括依次形成于衬底上的N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；刻蚀所述外延层，形成电极孔洞阵列，所述电极孔洞阵列暴露出所述N型氮化镓层；利用激光切割外工艺切割外延层至衬底，形成隔离槽，隔离出发光单元；在所述P型氮化镓层上形成金属反射镜层；在所述金属反射镜层和电极孔洞阵列内形成绝缘层，并在所述绝缘层中形成开口，露出电极孔洞阵列内的N型氮化镓和部分金属反射镜层；在所述开口中形成接触电极；将所述衬底通过接触电极与形成有电路的基板倒装焊接，形成倒装器件；切割所述倒装器件，形成由多个发光单元组成的高压倒装LED芯片。