| 发明名称 | 基材具有导通孔的半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开提供一种基材具有导通孔的半导体元件及其制作方法，前述的导通孔仅会产生极小的热膨胀应力，导通孔贯穿一基底，其包含一外管贯穿基底、至少一内管设置于外管内、一介电层覆盖该外管的一侧壁与内管的一侧壁与一底部、一提升强度材料层填入内管以及一导电层填入外管。 | ||
| 申请公布号 | CN102222654B | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201010198506.X | 申请日期 | 2010.06.04 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 林瑄智 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 刘云贵 |
| 主权项 | 一种基材具有导通孔的半导体元件，其特征在于包含：基底；以及导通孔贯穿该基底，其中该导通孔包含：外管贯穿该基底，且该外管中填入导电层；至少一内管设置于该外管的该导电层内部，该内管中填入提升强度材料；以及介电层覆盖该外管的一侧壁与该内管的一侧壁与一底部。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||