TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。TFT-LCD阵列基板包括栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，栅线和数据线同层设置，像素电极形成在覆盖栅线和数据线的绝缘层上。薄膜晶体管的源电极和漏电极与栅线同层设置，掺杂半导体层形成在源电极和漏电极上，半导体层形成在掺杂半导体层上并覆盖源电极与漏电极之间的沟道，薄膜晶体管的栅电极形成在绝缘层上，栅电极通过绝缘层上开设的第三过孔与栅线连接。本发明存储电容两个电极板之间只有绝缘层，提高了单位面积存储电容，同时本发明采用先形成沟道再形成半导体层的技术方案，TFT沟道区域不存在过刻或刻蚀不完全的缺陷，提高了成品率。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述栅线和数据线同层设置，所述像素电极形成在覆盖所述栅线和数据线的绝缘层上，其特征在于，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极与栅线同层设置，掺杂半导体层形成在所述源电极和漏电极上，半导体层形成在所述掺杂半导体层上并覆盖源电极与漏电极之间的沟道，所述薄膜晶体管的栅电极形成在绝缘层上，所述栅电极通过绝缘层上开设的第三过孔与栅线连接。