| 发明名称 | 具有半导体通孔的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有半导体通孔的半导体器件。一种半导体器件包括：半导体基底，具有第一表面和第二表面；至少一个电极，布置在从所述第一表面延伸至所述半导体基底中的至少一个沟槽中；以及半导体通孔，沿所述半导体基底的垂直方向在所述半导体基底内延伸至所述第二表面。所述半导体通孔通过通孔绝缘层与所述半导体基底电气绝缘。所述至少一个电极沿所述半导体基底的第一横向方向延伸通过所述通孔绝缘层并电气连接至所述半导体通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN103022132A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201210353815.9 | 申请日期 | 2012.09.21 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | A.P.迈泽尔;M.聪德尔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体基底，具有第一表面和第二表面；至少一个电极，布置在从所述第一表面延伸至所述半导体基底中的至少一个沟槽中；半导体通孔，沿所述半导体基底的垂直方向在所述半导体基底内延伸至所述第二表面，所述半导体通孔通过通孔绝缘层与所述半导体基底电气绝缘；以及其中所述至少一个电极沿所述半导体基底的第一横向方向延伸通过所述通孔绝缘层并电气连接至所述半导体通孔。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||