| 发明名称 |
一种含4-羟基香豆素的镉插层荧光材料及其合成方法 |
| 摘要 |
本发明提供了一种含4-羟基香豆素的镉插层荧光材料及其合成方法，涉及荧光材料领域。该材料的分子式为{[Cd(4，4′-bpp)2(H2O)2]·2(4-Hcm-)·H2O}n，为浅黄色晶体，采用溶液法合成，纯度高。本发明中，在室温下，{[Cd(4，4′-bpp)2(H2O)2]·2(4-Hcm-)·H2O}n在紫外线照射下发出明亮的蓝色荧光，量子产率为12％，强度比游离的荧光分子和主体金属有机框架都有显著的增强。该制备方法新颖、技术简单、设备要求不高、成本低廉，由于样品为晶体状态，且纯度高，热稳定性较好，具有可调控性，可望成为一类新的荧光发光材料，并可用于制作荧光发光器件。 |
| 申请公布号 |
CN103012449A |
申请公布日期 |
2013.04.03 |
| 申请号 |
CN201110284811.5 |
申请日期 |
2011.09.22 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
沈超君;吴新涛;盛天录;傅瑞标;胡胜民 |
| 分类号 |
C07F3/08(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I |
主分类号 |
C07F3/08(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种含4-羟基香豆素的镉插层荧光材料，其特征在于：该材料的化学式为{[Cd(4，4′-bpp)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>2</sub>]·2(4-Hcm<sup>-</sup>)·H<sub>2</sub>O}<sub>n</sub>，为单斜晶系，空间群为P2<sub>1</sub>/c；单胞参数为<img file="FDA0000093605630000011.GIF" wi="1545" he="63" />β＝101.417(4)°，<img file="FDA0000093605630000012.GIF" wi="423" he="68" />Z＝4。 |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
