| 发明名称 | 具有埋设电极的光电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光电子器件，该光电子器件包括：第一电极（2），设置在基板（1）上；第二电极（5），包括面对第一电极的第一表面；以及半导体材料层（4），与第一电极和第二电极电接触。第二电极（5）包括相邻于第一表面的侧壁，该侧壁通过插设自组装单层（7）而被半导体材料层（4）覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN103026527A | 申请公布日期 | 2013.04.03 |
| 申请号 | CN201180036865.8 | 申请日期 | 2011.05.24 |
| 申请人 | 原子能和代替能源委员会 | 发明人 | J-Y.劳伦特;J-M.维里哈克 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 一种光电子器件，包括：‑第一电极（2），设置在基板（1）上，‑第二电极（5），包括面对该第一电极的第一表面，‑半导体材料层（4），与该第一电极和该第二电极电接触，其特征在于，该第二电极（5）包括相邻于该第一表面的侧壁，该侧壁被该半导体材料层（4）覆盖且在该侧壁和该半导体材料层（4）之间插设有自组装单层（7）。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||