发明名称 多功能输入终端
摘要 本发明公开了一种多功能输入终端及方法。其中单个终端可用来设置集成电路进入三态(状态Q0,状态Q1或状态Q2)。集成电路中的电路连接到此终端,并确定此终端是否:1)通过外部连接接成低,2)通过外部连接接成高,3)悬空或基本上悬空。如果电路确定此终端是悬空或者是基本上悬空的,那么,电路将设置电路的部分运行特性(例如,设置电路给电池充电的最大电流IBATT)具有一个值,此值是连接到终端的外部电阻阻值是由设置的一个函数值来定。因此,集成电路用户能够通过选择适当阻值的外部电阻来设置运行特性具有一个想要的值。如果外部电阻不存在,那么终端是悬空的,电路设置具有对应为零值的运行特性。在典型应用中,零值对应为停止状态。
申请公布号 CN103023084A 申请公布日期 2013.04.03
申请号 CN201210234782.6 申请日期 2008.02.29
申请人 技领半导体(上海)有限公司;技领半导体股份有限公司 发明人 贺凯瑞;龚大伟;理查德·格雷
分类号 H02J7/00(2006.01)I 主分类号 H02J7/00(2006.01)I
代理机构 上海市锦天城律师事务所 31273 代理人 刘民选
主权项 一种集成电路,其特征在于,其包含;一个终端;一个第一电流源,其有第一节点和第二节点;一个N沟道场效应晶体管,其有源极、栅极和漏极,其中所述N沟道场效应晶体管的漏极连接到第一电流源的第二个节点上,且其中源极连接到终端上。一个P沟道场效应晶体管,其有源极、栅极和漏极,其中所述P沟道场效应晶体管的源极连接到终端;一个第二电流源,其有第一节点和第二节点,其中第二电流源的第一节点接到所述P沟道场效应晶体管的漏极;一个偏置网络,其给所述N沟道场效应晶体管的栅和所述P沟道场效应晶体管的栅极偏置一个直流电压;和数字解码电路,其第一输出连接到所述N沟道场效应晶体管的漏极和第二输入连接到所述P沟道场效应晶体管漏极。
地址 201203 上海市浦东新区祖冲之路1077号凌阳大厦1202室